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  1. 侵權投訴

    志在替代第三代半導體材料,氧化鎵目前有沒有這個實力?

    E4Life ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:周凱揚 ? 2021-04-10 09:00 ? 次閱讀

    韓國政府在近日宣稱將加大非硅功率半導體在本土的發展,用于電動汽車和其他對功效和耐用性要求較高的技術。該計劃將支持5種以上的半導體在2025年實現本土商業化,這其中不僅有碳化硅、氮化鎵,也有很少被提及的氧化鎵(Ga2O3)。

    與常規半導體相比,功率半導體可以承受更大的電壓和電流。目前氮化鎵已經在雷達和5G射頻功率應用上實現了規模商用,氮化鎵的快充充電器也已隨處可見,未來電動汽車中的逆變器等器件也將采用這一新材料。而碳化硅雖然同樣發展迅速,但因為成本問題,目前普及率并沒有前者高。那么被譽為“第四代半導體材料”之一的氧化鎵究竟有何優勢,市場機會有多大,目前的發展處境又如何呢?

    寬帶隙材料的優勢

    氧化鎵其實并不是什么新型材料,反而有了近70年的歷史,1952年就已經有科學家發現了它的五種變體。但由于該材料被大多數半導體研究者和工程師忽略,其發展才落后于氮化鎵和碳化硅等材料。直到近年以來,半導體產業才開始察覺到氧化鎵在光電器件應用上的優秀特性,而日本正是該材料的主要研究地區。


    砷化鎵、氮化鎵、氧化鎵、硅、碳化硅特性比較 / IEEE


    氮化鎵之所以能夠賦予器件前所未有的性能,一大原因要歸結于它的禁帶寬度。寬禁帶使得材料可以承受更高的電場強度,硅的禁帶寬度低至1.1eV,而碳化硅的禁帶寬度為3.3eV,氮化鎵的禁帶寬度也只有3.4eV,相較之下近似5eV的氧化鎵占了很大的優勢。從上圖IEEE測試數據中也可以看出,氧化鎵在臨界電場強度和禁帶寬度占有絕對優勢。

    氧化鎵分為α、β、γ、δ和ε五種結晶形態,其中最為穩定的是β-氧化鎵,其次是ε和α,目前大部分研究和開發也是針對禁帶寬度在4.7eV和4.9eV之間的β-氧化鎵進行。2012年,日本NICT開發出了首個單晶β-氧化鎵晶體管,其擊穿電壓就已經達到了250V以上,要知道氮化鎵可是經過了近20年的發展才跨過這個里程碑。而且β-氧化鎵的生長速率快于碳化硅和氮化鎵,襯底工藝也相對較簡單。

    但對合適的半導體材料來說,僅有寬禁帶是遠遠不夠的,氧化鎵同樣擁有自己的局限性,比方說它的導熱能力差,甚至低于砷化鎵。與導熱性能強的碳化硅相比,氧化鎵的導熱性只有前者的十分之一。這意味著晶體管中產生的熱量難以發散,很有可能限制設備的壽命。其次,氧化鎵制造p型半導體的難度較高,這兩點也成了氧化鎵商用普及的限制條件,需要業內投入更多精力和人才來解決。

    有限的市場參與者

    在氧化鎵的開發進展比較大的玩家之一為日本的FLOSFIA,該公司已經成立十年,最初由京都大學的一個研究項目衍生出來。FLOSFIA的主要業務是充分利用氧化鎵的物理特性,以自研的MISTDRY技術開發出低損耗的功率器件。FLOSFIA也在今年3月底的E輪投資中獲得了由三菱重工領投的10億日元投資。


    氧化鎵SBD /FLOSFIA


    目前FLOSFIA已經成功開發出了超低導通電阻的肖特基二極管,其導通電阻低至0.1mΩcm2,這也是全球首個采用剛玉結構的氧化鎵功率器件。FLOSFIA提到在該氧化鎵功率器件中,他們采用了LED中已經商用化的藍寶石襯底。該器件不僅以超低導通電阻實現了低損耗,而且具備良好的高頻特性,非常適合高速開關應用。

    FLOSFIA也在和股東之一的電裝開發下一代氧化鎵汽車功率半導體。值得一提的是,FLOSFIA采用的是α-氮化鎵,雖然β-氧化鎵更為穩定,但α-氮化鎵擁有更好的禁帶寬度,達到5.1eV到5.3eV。在判斷低頻功率半導體損耗的BFOM指數上,α-氮化鎵可以做到碳化硅的近20倍。


    下一代功率器件及相關設備的市場趨勢 / Fuji Economy


    考慮到技術尚沒有完全成熟,FLOSFIA的短期市場定位仍在家庭電力調節、電源適配器、UPS等中壓應用上,未來再推進到基站等高頻通信設備、電動汽車逆變器和工業電機等領域。而且以目前的功率器件市場分析數據來看,氧化鎵只有在2025年才會嶄露頭角,到2030年實現一定的普及。

    2019年的國際電子器件大會上,中國科學院上海微系統與信息技術研究所的歐欣課題組和西安電子科技大學的郝躍課題組展示了晶圓β-Ga2O3單晶薄膜(< 400 nm)與高導熱的Si和4H-SiC襯底異構集成,并制備出高性能的MOSFET器件。借助高K值的碳化硅襯底,該器件實現了優秀的熱穩定性,在500K的溫度下依然可以做到600V以上的擊穿電壓。

    除了研究機構和大學外,國內同樣有一家專研氧化鎵材料的高科技公司,鎵族科技。鎵族科技同樣是研究和生產氧化鎵的單晶和外延襯底,并由此開發出了氧化鎵基日盲紫外探測器分立器件和陣列成像器件。氧化鎵的功率器件同樣是鎵族科技的研發發現,目前鎵族已經與合作單位一起實現1000V耐壓的肖特基二極管模型制作,并已經實現5000V耐壓的MOSFET模型制作。

    小結

    從目前的發展情況來看,氧化鎵尚處于一個早期階段,還不具備與氮化鎵和碳化硅抗衡的實力,而且自身還有導熱性和結構上的挑戰。但從長遠來看,氧化鎵的性能潛力遠大于目前的技術障礙。日韓兩個半導體大國都已經開始了下一代半導體材料的布局,足見氧化鎵未來的市場有多大。

    況且氮化鎵在目前的半導體市場中不一定充當競爭者的身份,我們從現有研究進度中也看到了氧化鎵與碳化硅結合的情況,氧化鎵也不可能在每個射頻或功率場景中替代氮化鎵和碳化硅。

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    的頭像 MEMS 發表于 05-06 14:17 ? 247次 閱讀
    8英寸先進MEMS特色半導體IDM產業基地項目簽約儀式

    格芯率先響應歐盟籌組的半導體產業聯盟

    小編得到消息,近日,據經濟日報報道,歐盟正積極籌組半導體產業聯盟,擬邀請意法半導體、恩智浦、英飛凌、....
    的頭像 半導體投資聯盟 發表于 05-06 14:06 ? 251次 閱讀
    格芯率先響應歐盟籌組的半導體產業聯盟

    國巨攜手鴻海成立國瀚半導體 搶進功率及模擬IC領域

    5月6日消息 日前,國巨集團與鴻海科技集團宣布攜手成立合資公司-國瀚半導體(XSemi Corpor....
    發表于 05-06 13:56 ? 913次 閱讀
    國巨攜手鴻海成立國瀚半導體 搶進功率及模擬IC領域

    歐盟工業專員敦促歐盟改變往日在芯片供應方面的“幼稚”做法

    歐盟工業專員表示,歐洲天真地將其大部分半導體設計和制造業務外包給其他地區,需要糾正這種局面。 ? 歐....
    發表于 05-06 10:41 ? 738次 閱讀
    歐盟工業專員敦促歐盟改變往日在芯片供應方面的“幼稚”做法

    如何用半導體致冷塊自制微型空調

    本人用半導體致冷塊、取暖器外殼、貫流電扇、音響功放大功率管的鋁散熱器、水箱、電源等組裝成半導體空調。它無氟、無磨損、無噪...
    發表于 04-28 06:21 ? 0次 閱讀
    如何用半導體致冷塊自制微型空調

    VCT3804F彩電超級芯片處理器相關資料下載

    VCT3804F是Micronas半導體生成的一款屬于VCT 38XX家族芯片其中的一款。它為雙列密64腳封裝。是集合CPU(微處理器)、...
    發表于 04-26 07:54 ? 0次 閱讀
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    TDA9885TDA9885TS鎖相解調器相關資料下載

    TDA9885是飛利浦半導體生產的一款符合多重標準(包括PAL、SECAM和NTSC制式)的視頻和音頻中頻信號鎖相解調器,適...
    發表于 04-26 06:14 ? 0次 閱讀
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    TDA9886T鎖相解調器相關資料下載

    TDA9886是飛利浦半導體生產的一款符合多重標準(包括PAL、SECAM和NTSC制式)的視頻和音頻中頻信號鎖相解調器,適...
    發表于 04-23 06:27 ? 0次 閱讀
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    LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

    LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件采用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規范:2 kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
    發表于 01-08 17:51 ? 1727次 閱讀
    LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

    TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

    TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用于需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
    發表于 01-08 17:51 ? 389次 閱讀
    TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

    TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

    TMP422是具有內置本地溫度傳感器的遠程溫度傳感器監視器。遠程溫度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大范圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比?數字溫度傳感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
    發表于 01-08 17:51 ? 315次 閱讀
    TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

    LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

    LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平臺用于汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作采用兩相配置的遠...
    發表于 01-08 17:51 ? 422次 閱讀
    LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

    TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

    TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度范圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低于負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高于V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期。可以通過在CT引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對于快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電復位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度保護,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用于工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
    發表于 01-08 17:51 ? 766次 閱讀
    TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

    INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

    INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降范圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈沖寬度調制(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度范圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用于低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
    發表于 01-08 17:51 ? 382次 閱讀
    INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

    LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

    LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率范圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基于溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率范圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
    發表于 01-08 17:51 ? 521次 閱讀
    LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

    LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

    LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管溫度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的溫度。 LM63遠程溫度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用于測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于測量典型應用中脈沖寬度調制功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
    發表于 01-08 17:51 ? 852次 閱讀
    LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

    AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

    AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器模塊(HWA)可以執行雷達處理,并可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),并且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平臺解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
    發表于 01-08 17:51 ? 1878次 閱讀
    AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

    OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
    發表于 01-08 17:51 ? 1613次 閱讀
    OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

    TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)保護(4kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
    發表于 01-08 17:51 ? 219次 閱讀
    TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

    DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
    發表于 01-08 17:51 ? 407次 閱讀
    DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

    TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

    TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流保護,過流檢測和過壓保護電路,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉保護 推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
    發表于 01-08 17:51 ? 388次 閱讀
    TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

    TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

    這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
    發表于 01-08 17:51 ? 448次 閱讀
    TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

    LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
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    LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

    TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

    TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
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    TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

    LM358B 雙路運算放大器

    LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
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    LM358B 雙路運算放大器

    LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

    LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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    LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

    LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

    LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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    LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

    LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

    LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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    LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器
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